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机械网--三氯氢硅生产的火灾危险及对策

发布时间:2021-11-18 00:50:48 阅读: 来源:冰枕厂家

3氯氢硅又称3氯硅烷、硅氯仿,英文名称:trichlorosilane或silicochloroform,分子式为SiHCl3,用于有机硅烷和烷基、芳基和有机官能团氯硅烷的合成,是有机硅烷偶联剂中最基本的单体,也是生产半导体硅、单晶硅的原料,随着有机硅烷偶联剂工业的发展而出现供不应求,生产量越来越大。1、3氯氢硅的理化特性及生产原理3氯氢硅是采取硅粉与氯化氢气体在流化床反应器中生成。它是无色液体,易挥发,易潮解,在空气中产生反应产生白烟,遇水分解,溶于苯、醚等有机溶剂。属1级遇湿易燃物品,易燃易爆,遇水反应产生氯化氢气体;它与氧化剂产生强烈反应,遇明火、高热时产生燃烧或爆炸。其物理特性以下:比重:1.35;相对气体密度:4.7;沸点:31.8℃;饱和蒸气压(14.5℃)53.33Kpa;闪点:-13.9℃(开杯);自燃温度:175℃;爆炸下限:6.9%;爆炸上限:70%;溶解性:溶于苯、醚等有机溶剂;具有急性毒性。2、3氯氢硅生产的火灾危险性分析3氯氢硅生产的原料都是不燃物质拆迁没有签字可以强拆吗,但是其生产进程中的产物大都是易燃易爆物质,如氢气、3氯氢硅、氯气等。1、电解食盐水的火灾危险性(1)电解时有强大的电流通过,如果电气的绝缘不良极易产生电火花,电解车间常常有氢气泄漏,遇到电火花或其它明火会产生燃烧或爆炸。(2)如氢气与氯气相混,到达爆炸极限范围,遇光也会产生爆炸。2、3氯氢硅合成的火灾危险性SiHCl3的合成是在280℃~300℃的温度下进行的,已超过了SiHCl3的自燃温度175℃,在合成进程中如果SiHCl3产生泄漏,或空气进入反应器,极易引发燃烧、爆炸或中毒事故。并且SiHCl3有毒、遇水燃烧,给火灾扑救带来1定的困难。3、3氯氢硅贮罐的火灾危险性SiHCl3的贮罐如果产生泄漏,其危险性远远大于工艺管道泄漏的危险性,由于其贮量大,1旦产生泄漏,如果不及时堵漏,影响会不断扩大。贮罐区由于冷却用水的需要,常常有水存在,泄漏的SiHCl3遇水产生反应,产生有毒的HCl,向4周分散,给抢险救济工作带来困难。3、防火防爆对策

在3氯氢硅生产的各个工序中,为避免火灾、中毒,要严格实行各项消防安全制度,严格控制工艺指标,严格操作规程。加强对设备管道的保护保养,严防跑、冒、滴、漏。具体预防措施以下:1、火源管理。在生产中进行检验时使用的工具应当是不产生火花的工具,严禁用铁器敲打设备或管道,工作人员应穿棉制品工作服。生产和贮罐区制止明火,生产中动火要严格实行有关安全管理制度。2、避免跑、冒、滴、漏。生产进程中产生的大都是易燃易爆有毒物质,生产设备、工艺管道和贮罐如果产生泄漏极易酿成火灾、爆炸和中毒事故。因此房子签字了能强拆吗,平常工作中要做好安全检查,不留死角,设备要定期检验,发现问题及时采取补救措施,修复存在跑、冒、滴、漏的部位。3、配置应急工具和消防设施。应当配备1定数量的防毒面具、自给式空气呼吸器、手套、堵漏工具。应急队的人员要常常进行演练,熟练掌握各种情况下的堵漏方法和处置措施。贮罐区常备干砂的量最好很多于1个贮罐的容积,厂内仓库寄存1定的水泥作应急之用。配备1定数量的手提式2氧化碳和干粉灭火器。4、生产工艺中的防火防泄漏措施。(1)3氯氢硅的合成、除尘和精馏工段。HCl气体缓冲罐与合成炉之间应设止回阀,避免合成炉的SiHCl3回到缓冲罐。应控制HCl气体的流量,控制合成炉内的温度。对设备管道要常常进行保护保养,避免3氯氢硅泄漏。在生产中要保持全部系统的密闭,用99.99%的氮气进行保护。(2)3氯氢硅的储存。3氯氢硅的沸点较低,需在低温下储存,3氯氢硅的贮罐设置低温保护装置和降温措施。由于3氯氢硅有潜伏的燃烧爆炸危险,所以它的贮罐应与生产装置要有1定的防火间距,并且要设防火堤,降温水的排放管道经过防火堤处要设闸阀。贮罐应设静电接地装置和避雷装置。贮罐内的气相要与氮气系统相连进行保护,贮罐的气相与外部连通的平衡管(放空管)应与尾气回收系统相连,不能直接排空,并应设止回阀和阻火器。贮罐区应设1个备用罐,紧急情况下应将泄漏的贮罐内的物料转移至备用罐,避免大量泄漏。4、泄漏处理和火灾扑救

生产和储存中如果产生3氯氢硅泄漏,应根据泄漏量的大小划出1定的警戒范围,制止无关人员和车辆进入警戒区,切断警戒区内的所有火源,迅速撤离泄漏污染区内的人员至安全地带。如果是贮罐产生泄漏,又不能及时排除泄漏,就应当将产生泄漏的贮罐内的3氯氢硅用氮气压入备用罐内。如果是生产中的设备和管道产生泄漏,应立即停止生产不签拆迁协议可以强拆吗,并迅速关闭有关阀门切断物料输送。泄漏地带有水源时,利用干砂土围成隔离带,将泄漏的3氯氢硅与水隔离开来。抢险人员进入危险区域时应佩戴自给式呼吸器或防毒面具。应先查明泄漏部位的泄漏状态。由于贮存3氯氢硅的容器为常压容器,应针对不同的泄漏部位采取不同的堵漏措施,切断泄漏源,用砂土、水泥吸收残留液。3氯氢硅泄漏后产生燃烧时,应采取干砂、2氧化碳、干粉、水泥灭火,制止直接用水和泡沫扑救。

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